-
1 density of gap states
плотность состояний в запрещенной зонеБольшой англо-русский и русско-английский словарь > density of gap states
-
2 density of gap states
English-Russian solar energy dictionary > density of gap states
См. также в других словарях:
АМОРФНЫЕ И СТЕКЛООБРАЗНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — АМОРФНЫЕ И СТЕКЛООБРАЗНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, аморфные и стеклообразные вещества, проявляющие полупроводниковые (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ) свойства. Характеризуются наличием ближнего порядка (см. ДАЛЬНИЙ ПОРЯДОК И БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК) … Энциклопедический словарь
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
Твёрдое тело — одно из четырёх агрегатных состояний вещества, отличающееся от др. агрегатных состояний (жидкости (См. Жидкость), Газов, плазмы (См. Плазма)) стабильностью формы и характером теплового движения атомов, совершающих малые колебания около… … Большая советская энциклопедия
Поверхностные состояния — Волновая функция одноэлектронного поверхностного уровня, изображенная в направлении х, перпендикулярном поверхности [1]. Поверхностные состояния, (англ. Surface states) (также поверхностные электронные состояния, далее ПС) электронные… … Википедия
Поверхностные электронные состояния — Волновая функция одноэлектронного поверхностного уровня, изображенная в направлении х, перпендикулярном поверхности [1]. Поверхностные состояния, (англ. Surface states) (также поверхностные электронные состояния, далее ПС) электронные состояния … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
